UP1966E

双通道增强型氮化镓晶体管栅极驱动器

描述

设计用于在半桥拓扑中驱动高端和低端GaN FET。它集成了内部自举电源和欠压锁定功能。具有分离的栅极输出，可在高端和低端驱动通道上以数MHz的频率运行，能够独立调整导通和关断过渡时间。高端驱动采用钳位电路，防止不需要的瞬变损坏GaN器件的栅极。有两个PWM输入，可独立控制高端和低端驱动信号。采用12引脚WLCSP封装，可最小化封装电感，以改善高速运行性能。

品牌名称

EPC

商品型号

UP1966E

商品编号

C3654946

商品封装

WLCSP-12-B(1.6x1.6)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)