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STM32F205RGT6TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32F205RGT6TR

高性能ARM Cortex-M3 MCU,具有1 MB Flash、120 MHz CPU和ART加速器

描述
特性:核心:Arm 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 M 字节的闪存;512 字节的 OTP 存储器;高达 128 + 4 K 字节的 SRAM;支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器;LCD 并行接口,8080/6800 模式。
商品型号
STM32F205RGT6TR
商品编号
C424243
商品封装
LQFP-64(10x10)​
包装方式
编带
商品毛重
0.479克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M3
CPU最大主频120MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量1MB
程序存储器类型FLASH
RAM容量132KB
属性参数值
EEPROM容量-
I/O数量51
ADC(位数)12bit
DAC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压1.8V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

基于Arm®的32位MCU,150 DMIPs,最高1 MB Flash/128+4KB RAM,支持USB OTG HS/FS、以太网、17个定时器、3个ADC、15个通信接口和相机接口。

商品特性

  • 核心:Arm® 32位Cortex®-M3 CPU(最高120 MHz),带自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现Flash存储器的零等待状态执行性能,配备MPU,性能为150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)
  • 存储器:最高1 MB Flash存储器;512字节OTP存储器;最高128+4 KB SRAM;灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器;LCD并行接口(8080/6800模式)
  • 时钟、复位和电源管理:应用电源及I/O电压范围1.8至3.6 V;支持POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;带校准的32 kHz RTC振荡器;带校准的内部32 kHz RC
  • 低功耗模式:睡眠、停止和待机模式;VBAT电源供电RTC、20×32位备份寄存器及可选4 KB备份SRAM
  • 3个12位、0.5 μs ADC,最多24通道,三通道交错模式下最高6 MSPS;2个12位D/A转换器;通用DMA:16流控制器,带集中式FIFO和突发支持
  • 最多17个定时器:最多12个16位和2个32位定时器(最高120 MHz),每个最多4个IC/OC/PWM或脉冲计数器及正交(增量)编码器输入
  • 调试模式:串行线调试(SWD)、JTAG和Cortex®-M3嵌入式跟踪宏单元™
  • 封装类型:LQFP64(10×10 mm)、LQFP100(14×14 mm)、LQFP144(20×20 mm)、LQFP176(24×24 mm)、WLCSP64+2(0.400 mm间距)、UFBGA176(10×10 mm)
  • 最多140个带中断能力的I/O端口:最多136个最高60 MHz的快速I/O;最多138个5 V耐受I/O
  • 最多15个通信接口:最多3个I2C接口(SMBus/PMBus);最多4个USART和2个UART(7.5 Mbit/s,支持ISO 7816接口、LIN、IrDA、调制解调器控制);最多3个SPI(30 Mbit/s),其中2个带复用I2S,可通过音频PLL或外部PLL实现音频级精度;2个CAN接口(2.0B Active);SDIO接口
  • 高级连接:USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器(带片上PHY);USB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器(带专用DMA、片上全速PHY和ULPI);10/100以太网MAC(带专用DMA,支持IEEE 1588v2硬件、MII/RMII)
  • 8至14位并行相机接口(最高48 Mbyte/s);CRC计算单元;96位ID

数据手册PDF