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LNSC2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- N沟道 20V 4A
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNSC2302
- 商品编号
- C424190
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 26 A 时，漏源导通电阻 (RDS(on)) = 0.041 Ω（典型值）
- 低栅极电荷（典型值 49 nC）
- 低反向传输电容 (Crss)（典型值 66 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准
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