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LNSC2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- N沟道 20V 4A
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNSC2302
- 商品编号
- C424190
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体晶体管(DMOST)技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 20V、4A,R\textDS(ON).max = 42 \textm Ω(V\textGS = 4.5 \textV时)
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理