温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LPSA3481
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道 -30V -4A
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LPSA3481
- 商品编号
- C424191
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -30V、-4.0A，RDS(ON)最大值 = 50mΩ（VGS = -10V时）
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式设备
其他推荐
- HLK-RM28E
- HLK-TX-2DB-B
- SP232EET-L/TR
- XRP7665IDBTR-F
- TLP185(GB-TPL,E
- JL762-76202BA1
- JL762-76203BA1
- JL762-76204BA1
- JL762-76205BA1
- JL762-76206BA1
- JL850-85002BA1
- JL850-85003BA1
- JL850-85004BA1
- JL850-85005BA1
- JL850-85006BA1
- JL15EDGVC-38112G01
- JL15EDGK-38112G01
- JL15EDGRC-38112G01
- JL2EDGR-50810G01
- JL2EDGR-50812G01
- JL2EDGRC-50812G01