温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHS4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:6.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 功率 MOSFET，-20 V，-6.7 A， 单 P 沟道，ChipFET
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHS4101PT1G
- 商品编号
- C424249
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在ChipFET封装中提供超低导通电阻（RDS(on)）解决方案
- 微型ChipFET封装，占位面积比TSOP - 6小40%，是电路板空间有限应用的理想器件
- 低外形（<1.1毫米），使其能够轻松适配超薄环境，如便携式电子产品
- 设计为在低至1.8V的栅极电压下提供低导通电阻（RDS(on)），该电压是便携式电子产品中许多逻辑IC的工作电压
- 无需额外的栅极电压升压电路，简化了电路设计
- 在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑结构向更低电平迁移
- 提供无铅封装
应用领域
- 优化用于便携式设备的电池和负载管理应用，如MP3播放器、手机、数码相机、个人数字助理及其他便携式应用
- 电池充电器中的充电控制
- 降压和升压转换器