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FQD2N90TM

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:900V 电流:1.7A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FQD2N90TM
  • 商品编号

    C424487
  • 商品封装

    TO-252AA
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.476克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)1.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.2Ω@10V,850mA
属性参数值
功率(Pd)2.5W;50W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)500pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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