FQD2N90TM
1个N沟道 耐压:900V 电流:1.7A
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描述
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQD2N90TM商品编号
C424487商品封装
TO-252AA包装方式
编带
商品毛重
0.476克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.2Ω@10V,850mA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 2.5W;50W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 500pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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