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FDA18N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:19A
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- 描述
- UniFET MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDA18N50
- 商品编号
- C424492
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.7125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 239W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |