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FDB12N50TM
1个N沟道 耐压:500V 电流:11.5A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB12N50TM
- 商品编号
- C424482
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 165W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交9单
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