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LPL4459
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- P沟道 -30V -6.5A
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LPL4459
- 商品编号
- C424193
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOST技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -30V、-6.5A,VGS = -10V时,RDS(ON).max = 46mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式设备