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NSV60601MZ4T1G
超低饱和导通电压、高电流增益的NPN晶体管，适用于低压高速开关应用
- 描述
- 低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSV60601MZ4T1G
- 商品编号
- C424247
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
- NCV2003SN2T1G
- NTHS4101PT1G
- NCV2903DMR2G
- GRM32ER71E226ME15L
- HLK-TX-2DB-B
- SP232EET-L/TR
- XRP7665IDBTR-F
- TLP185(GB-TPL,E
- JL762-76202BA1
- JL762-76203BA1
- JL762-76204BA1
- JL762-76205BA1
- JL762-76206BA1
- JL850-85002BA1
- JL850-85003BA1
- JL850-85004BA1
- JL850-85005BA1
- JL850-85006BA1
- JL15EDGVC-38112G01
- JL15EDGK-38112G01
- JL15EDGRC-38112G01