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MS5N200HGC0
MOSFET MS5N200HGC0
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- 描述
- MOSFET 5A 2000V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS5N200HGC0
- 商品编号
- C37635840
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 40 V，ID = 6.7 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 35 mΩ
- P沟道：VDS = -40 V，ID = -6 A，在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 90 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力。
- 产品符合无铅要求。
- 采用表面贴装封装。