HUFA76413D3ST
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76413D3ST
- 商品编号
- C3290876
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
NP60N04VLK是专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻
- 最大RDS(on) = 3.9 mΩ（VGS = 10 V，ID = 30 A）
- 低输入电容：典型Ciss = 2450 pF（VDS = 25 V）
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
应用领域
- 汽车领域