FDD6780
1个N沟道 耐压:25V 电流:16.5A 电流:30A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6780
- 商品编号
- C3290875
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
本产品是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 超低导通电阻：漏源导通电阻最大值为25 mΩ（栅源电压为 -10 V，漏极电流为 -10 A）
- 漏源导通电阻最大值为38 mΩ（栅源电压为 -4.5 V，漏极电流为 -10 A）
- 低输入电容：输入电容典型值为1650 pF
- 内置栅极保护二极管
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（本产品外部电极不含铅）
应用领域
-汽车领域