FDD7030BL
1个N沟道 耐压:30V 电流:56A 电流:14A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD7030BL
- 商品编号
- C3290874
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现出色的开关性能。
商品特性
- 46 A、30 V，漏源导通电阻 RDS(ON) 在栅源电压 VGS 为 10 V 时等于 10 mΩ
- 漏源导通电阻 RDS(ON) 在栅源电压 VGS 为 4.5 V 时等于 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻 RDS(ON)
应用领域
-DC/DC 转换器-电机驱动器