商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；32A | |
| 功率(Pd) | 2.5W；100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@10A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；32A | |
| 功率(Pd) | 2.5W；100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@10A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |