STW38N65M5-4
N沟道,电流:30A,耐压:710V
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- 描述
- N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW38N65M5-4
- 商品编号
- C3290748
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。该产品导通电阻极低,特别适用于对功率和效率要求较高的应用。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-高效开关应用-服务器-光伏逆变器-电信基础设施-多千瓦电池充电器