STW38N65M5-4
N沟道,电流:30A,耐压:710V
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- 描述
- N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW38N65M5-4
- 商品编号
- C3290748
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的导通和开关损耗，以及美高森美专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用流行的T-MAX™或TO - 264封装
- 快速恢复体二极管