FQPF5N60CYDTU
N沟道,电流:4.5A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF5N60CYDTU
- 商品编号
- C3290589
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
~~- 逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽 MOSFET 技术-通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路