FQP4N20
N沟道,电流:3.6A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP4N20
- 商品编号
- C3290380
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、强化器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功耗水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 3.6A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 1.4 Ω
- 低栅极电荷(典型值5.0 nC)
- 低Crss(典型值5.0 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力