NDP603AL
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDP603AL
- 商品编号
- C3290361
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单（典型值33 nC）
- 改善了栅极、雪崩和高重复施加dv/dt的鲁棒性
- 降低了RDS(on)（在VGS = 10 V、ID = 7.5 A时典型值为330 mΩ）
- 降低了米勒电容和低输入电容（典型值Crss = 16 pF）
- 提高开关速度，降低电磁干扰
- 额定结温为175°C
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源