NDP7050L
N沟道,电流:75A,耐压:50V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDP7050L
- 商品编号
- C3290317
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.01Ω。
- 75A、50V。在VGS = 5V时,RDS(ON) = 0.013Ω。
- 驱动要求低,可直接由逻辑驱动器驱动。VGS(TH) < 2.0V。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 提供TO - 220和TO - 263 (D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
- 汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制