FDP5690
1个N沟道 耐压:60V 电流:32A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP5690
- 商品编号
- C3290284
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 32 A、60 V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.027 Ω
- VGS = 6 V时,RDS(ON) = 0.032 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C。
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理