RM138
N沟道,电流:0.22A,耐压:50V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM138
- 商品编号
- C3290010
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用安森美半导体专有的高单元密度双极型金属氧化物半导体（DMOS）技术生产的功率型 SOT N 沟道增强型功率场效应晶体管，具有极高的密度。这种高密度工艺特别经过优化，旨在最大程度降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低电压应用，例如直流电机控制和直流/直流转换，因为在这些应用中需要快速开关、低在线功率损耗以及抗瞬变能力。
商品特性
- VDS = 50V,ID = 0.22A
- VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 6 Ω
- VGS=10 V 时,RDS(ON)< 3.5 Ω
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 无卤
- 产品编号后缀 V 表示符合 AEC-Q101 标准
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器