RM6N100S4
N沟道,电流:6A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM6N100S4
- 商品编号
- C3289931
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6670S旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻和低栅极电荷。FDS6670S采用仙童的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- VDS = 100 V, ID = 6 A
- RDS(ON) < 140mΩ @ VGS = 10V \quad (典型值:110mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低的 RDS(ON)
- 经过全面特性表征的雪崩电压和电流
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源