RM7N40S4
N沟道,电流:7A,耐压:40V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM7N40S4
- 商品编号
- C3289930
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款专为汽车应用设计的HEXFET功率MOSFET的蜂窝式设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，这一优势为设计人员提供了一款极其高效可靠的器件，可用于汽车及其他多种应用。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 动态dv/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证