RM2A3P60S4
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-2.3A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2A3P60S4
- 商品编号
- C3289926
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。这款超级结 MOSFET 满足行业对 PFC、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC - DC SMPS 要求。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 经过 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)