RM2A8N60S4
N沟道增强型功率MOSFET,电流:2.8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2A8N60S4
- 商品编号
- C3289924
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- VDS = 60V, ID = 2.8A
- RDS(ON) < 100 m Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) < 110 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 全面表征的雪崩电压和电流
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源