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UPA2792AGR-E1-AT

N和P通道功率MOSFET,电流:10A,耐压:30V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: UPA2792AGR-E1-AT
商品编号: C3289866
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这款P沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

-14.5 A，-30 V。在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 7.2 mΩ；在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 11 mΩ
扩展的VGSS范围（-25V），适用于电池应用
ESD保护二极管
高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
高功率和电流处理能力

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	26mΩ@4.5V,5A
	耗散功率(Pd)	2W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	47nC
	输入电容(Ciss)	2.2nF@10V
	反向传输电容(Crss)	410pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道