ISL9N308AD3
MOSFET,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ISL9N308AD3
- 商品编号
- C3288514
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.0064 Ω(典型值),VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.010 Ω(典型值),VGS = 4.5 V
- Qg(典型值)= 24 nC,VGS = 5 V
- Qgd(典型值)= 8 nC
- CISS(典型值)= 2600 pF
应用领域
-DC/DC 转换器