IRFI624BTUFP001
N沟道,电流:4.1A,耐压:250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFI624BTUFP001
- 商品编号
- C3288501
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体（Fairchild）专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 4.5A、200V，VGS = 10V时，RDS(on) = 1.2Ω
- 低栅极电荷（典型值6.0 nC）
- 低Crss（典型值6.0 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关式DC/DC转换器-开关电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制