FQI16N25CTU
1个N沟道 耐压:250V 电流:15.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI16N25CTU
- 商品编号
- C3288497
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
先进功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片。它在现有任何表面贴装封装中具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于内部连接电阻低，D²PAK适用于高电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 可直接替代IRFZ48、SiHFZ48用于线性/音频应用