FQI2N30TU
N沟道,电流:2.1A,耐压:300V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI2N30TU
- 商品编号
- C3288496
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 75 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 3.2 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流到直流转换器/同步整流