FQI5N20TU
1个N沟道 耐压:200V 电流:4.5A
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- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQI5N20TU商品编号
C3288485商品封装
I2PAK(TO-262)包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@2.25A,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 3.13W;52W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 270pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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