IRFW710BTM
N沟道,电流:2.0A,耐压:400V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW710BTM
- 商品编号
- C3288101
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.0065 Ω，VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.0075 Ω，VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线