商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
专为高达400 MHz频率范围的宽带商用应用而设计。主要用作推挽配置中的驱动器或输出放大器。可用于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制电路。N沟道增强型MOSFET。在400 MHz、28 V条件下的典型性能：输出功率 — 100 W，增益 — 12 dB，效率 — 60%。
商品特性
- 低热阻
- 低Crss — 典型值10 pF，@ VDS = 28 V
- 在额定输出功率下进行了耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片，提高可靠性
- 出色的热稳定性；适用于A类工作模式