PMZ370UNE315
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006-3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 静电放电（ESD）保护>2 kV HBM
- 无引脚超小型SMD塑料封装：1.0 × 0.6 × 0.48 mm
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路