BSS84AKW-B115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC-70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 高达1 kV的静电放电保护
- 极快速开关
- 通过AEC-Q101认证
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路