2SK3354-Z-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDZ372NZ采用先进的1.5 V PowerTrench工艺和先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺设计，可最大限度地减少PCB空间和导通电阻rDS(on)。这种先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优点。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 50 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 60 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 72 mΩ
- 在VGS = 1.5 V、ID = 1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 93 mΩ
- 占用PCB面积仅1.0 mm²，不足2x2 BGA封装面积的30%
- 超薄封装：贴装到PCB上后高度低于0.4 mm
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >3200 V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护