FDD2570
N沟道,电流:4.7A,耐压:150V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD2570
- 商品编号
- C3281329
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.907nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此,该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- RDS(ON) = 90 m Ω(VGS = 6 V 时)
- 4.7 A,150 V。RDS(ON) = 80 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力。
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动