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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD8444L

N沟道,电流:50A,耐压:40V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD8444L
商品编号
C3281296
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)153W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)60nC@5V
输入电容(Ciss)5.53nF
反向传输电容(Crss)400pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)605pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可在最大限度降低导通电阻的同时,保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。

商品特性

  • 在 VGS = 5 V、ID = 50 A 条件下,典型 rDS(on) = 3.8 m Ω
  • 在 VGS = 5 V 条件下,典型Qg = 46 nC
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr 体二极管
  • 具有单脉冲/重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 通过 AEC Q101 认证
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 螺线管和电机驱动器
  • 电子变速器
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V 和 24V 系统的主开关

数据手册PDF