RM1A5N30S3AE
N沟道,电流:1.5A,耐压:30V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM1A5N30S3AE
- 商品编号
- C3280227
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 1.5 A
- 栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 144 mΩ
- 栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 185 mΩ
- 采用高密单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 封装散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-DC-DC转换器-无卤