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DI100N10PQ实物图
  • DI100N10PQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DI100N10PQ

1个N沟道 耐压:100V 电流:100A

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商品型号
DI100N10PQ
商品编号
C3279653
商品封装
QFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
输入电容(Ciss)3.742nF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)698pF

商品特性

  • 低导通电阻。
  • 超高速开关。
  • 1.8V驱动。

数据手册PDF