RM10N30D2
N沟道增强型MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM10N30D2
- 商品编号
- C3279605
- 商品封装
- PQFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.02W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 10A
- V G S = 10V 时,R D S (O N) < 12mΩ
- V G S = 4.5V 时,R D S (O N) < 16mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无卤
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关