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IPI200N25N3GAKSA1

1个N沟道耐压:250V 电流:64A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPI200N25N3GAKSA1
商品编号: C3279116
商品封装: TO-262-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的出色鲁棒性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

N沟道,常电平
出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
极低的导通电阻RDS(on)
工作温度达175°C
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
按照IEC61249-2-21标准无卤
非常适合高频开关和同步整流

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	64A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	20mΩ@64A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4V@270uA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	86nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	7.1nF@100V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)