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IPW65R110CFDFKSA2

1个N沟道耐压:650V 电流:31.2A

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW65R110CFDFKSA2
商品编号: C3278944
商品封装: TO-247-3-41
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOSTM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOSTM CFD2 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

超快体二极管
极高的换相鲁棒性
由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
易于使用/驱动
根据 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准适用于工业级应用
无铅镀层,无卤模塑料

应用领域

650V CoolMOSTM CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	31.2A
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	110mΩ@12.7A,10V

	属性	参数值
	功率(Pd)	277.8W
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	4.5V@1.3mA
	栅极电荷(Qg@Vgs)	118nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	3.24nF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)