温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPA60R120P7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:26A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R120P7XKSA1
- 商品编号
- C3278755
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@8.2A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@410uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.544nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换向耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ωmm²）使得与竞品相比，具有更好的RDS(on)/封装产品
应用领域
- 用于PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。
相似推荐
其他推荐
- IPP60R099P6XKSA1
- IPP065N04NG
- IPP60R330P6XKSA1
- IPP65R095C7XKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- IPP060N06NAKSA1
- IPP330P10NMAKSA1
- IPP085N06LGIN
- IPP110N20NAAKSA1
- IPP80R1K2P7XKSA1
- IPP65R099CFD7AAKSA1
- IPP65R145CFD7AAKSA1
- IPP08CNE8NG
- IPP80R900P7XKSA1
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- IPP65R190C7FKSA1
- IPP65R110CFD7XKSA1
- IPP80R1K4P7XKSA1
- IPP023N08N5AKSA1
- IPP024N08NF2SAKMA1
- BTS115AE6327