IAUC100N04S6N022ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC100N04S6N022ATMA1
- 商品编号
- C3278632
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.26mΩ@50A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@32uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.421nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1标准
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%经过雪崩测试
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