FDU8580
N沟道, 35A, 20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU8580
- 商品编号
- C3278260
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 49.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
RFD16N05和RFD16N05SM N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅材料的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时,最大导通电阻rDS(on) = 9 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 33 A时,最大导通电阻rDS(on) = 13 mΩ
- 低栅极电荷:Qg(TOT) = 19 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低栅极电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
- 中间总线架构的VRM
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