FDU8770
1个N沟道 耐压:25V 电流:35A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU8770
- 商品编号
- C3278233
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 675pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 915pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 35 A 时,最大 rDS(on) = 4.0 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 35 A 时,最大 rDS(on) = 5.5 m Ω
- 低栅极电荷:Qg(10) = 52 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低栅极电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
- 中间总线架构的VRM