FQI10N60CTU
N沟道,电流:9.5A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI10N60CTU
- 商品编号
- C3278177
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
适用于广播、工业科学医疗（ISM）以及与（A&D）应用的5 W横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率晶体管，工作频率范围为高频（HF）至3500 MHz。 BLP35M805驱动晶体管专为高功率连续波（CW）应用而设计，采用高性能热增强型塑料封装。
商品特性
- 9.5A、600V,在VGS = 10V时,RDS(on) = 0.73Ω
- 低栅极电荷(典型值44nC)
- 低Crss(典型值18pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器