FDI038AN06A0_NL
N沟道,电流:80A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDI038AN06A0_NL
- 商品编号
- C3278176
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 367pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.123nF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合基于互补半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
商品特性
- rDS(ON) = 3.5 m Ω(典型值),VGS = 10 V,ID = 80 A
- Qg(tot) = 95 n C(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低 QRR 体二极管
- 具有单向脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统(ABS)
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 和 24V 系统的初级开关